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            半導體級晶體生長爐  KX170MCZ-下載申搏sunbet並安裝
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            半導體級晶體生長爐 KX170MCZ

            半導體級晶體生長爐  KX170MCZ-下載申搏sunbet並安裝

            • 最優化的3-6英寸CZ單晶生長方案
            • 領先的全數字控製係統
            • 先進的熱場設計

            半導體級晶體生長爐  KX170MCZ
            Performance  性能
              Typical Ingot Diameter 單晶直徑   150-230 mm (6-10 in)
              Pull Chamber Height  副室高度   2108 mm (83 in)
              Throat Diameter 喉口直徑   305 mm (12 in)
              Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
              Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
              Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   500 mm (19.6 in )
              Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
              Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
              Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-50 rpm
              Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm
              CUPS 主真空泵   1000 Gs

            Silicon Charge Capacity矽投料量
              *Hot Zones available to fit following crucible sizes 熱場尺寸取決於坩鍋直徑
              **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料係統可提高裝料量
              Crucible Diameter*
              坩堝直徑
              Crucible Height*
              坩堝高度
              Charge Size Cold Pack
              冷裝投料量
              Enhanced Charge**
              複投裝料量
              24.0 in   16.33 in   170 kg   210 kg
              22.0 in   16.33 in   120 kg   150 kg

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