下載申搏sunbet並安裝

            半導體級晶體生長爐KX260MCZ-下載申搏sunbet並安裝
            所在位置: 首頁 - 下載申搏sunbet-半導體類
            半導體級晶體生長爐KX260MCZ

            半導體級晶體生長爐KX260MCZ-下載申搏sunbet並安裝

            • 領先的全數字控製係統
            • 先進的熱場設計


            半導體級晶體生長爐KX260MCZ
            Performance  性能
              Typical Ingot Diameter 單晶直徑   200-400 mm (8-16 in)
              Pull Chamber Door Opening 副室門尺寸   508 x 2,362 mm (20 x 93 in)
              Throat Diameter 喉口直徑   457 mm (18 in)
              Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
              Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
              Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   280 mm (19.6 in )
              Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
              Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
              Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-35 rpm
              Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm
              CUPS 主真空泵   14,200 l/min (300 cfm)
              (Min. recommended) Aux 輔真空泵   1,700 l/min (50 cfm)

            Silicon Charge Capacity矽投料量
              *Hot Zones available to fit following crucible sizes 熱場尺寸取決於坩鍋直徑
              **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料係統可提高裝料量
              Crucible Diameter*
              坩堝直徑
              Crucible Height*
              坩堝高度
              Charge Size Cold Pack
              冷裝投料量
              Enhanced Charge**
              複投裝料量
              28.0 in   17.0 in   240 kg   300 kg
              24.0 in   16.33 in   150 kg   180 kg
            返回