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            鍺單晶生長爐KX100-Ge -下載申搏sunbet並安裝
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            鍺單晶生長爐KX100-Ge

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            • 最優化的4-8英寸CZ法鍺單晶生長方案
            • 領先的全數字控製係統
            • 先進的熱場設計
            • 國際上鍺晶體生長公司的首選

            鍺單晶生長爐KX100-Ge
            Performance  性能
              Typical Ingot Diameter 單晶直徑   100-200 mm(4-8")
              Pull Chamber Height 副室高度   1750 mm (69”)
              Throat Diameter 喉口直徑   305 mm (12”)
              Furnace Diameter 爐室內徑   865 mm
              Seed Lift Rate 籽晶提升速率   0-508 mm/hr
              Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
              Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   380 mm (15")
              Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
              Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
              Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-50 rpm
              Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm

            Silicon Charge Capacity矽投料量
              Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 熱場尺寸取決於坩鍋直徑
              Crucible Diameter
              坩鍋直徑
              Crucible Height
              坩鍋高度
              Charge Size
              投料量
              20.0 in   15.0 in   120 kg
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