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            半導體級晶體生長爐KX170MCZ
            來源:sunbet申博手機版下載 發表時間:2019-03-10      


            Performance  性能

            Typical Ingot Diameter 單晶直徑

            150-230 mm (6-10 in)

            Pull Chamber Height 副室高度

            2,800 mm (110 in)

            Throat Diameter 喉口直徑

            305 mm (12 in)

            Seed Lift Rate 晶升速率

            0-508 mm/hr

            Seed Jog Speed (Nominal)

            籽晶快速提升速率(最大)

            508 mm/min

            Total Crucible Travel 鍋最大行程

            500 mm (19.6 in )

            Crucible Lift Rate 鍋提升速率

            0-254 mm/hr

            Crucible Jog Speed (Nominal)

            鍋快速提升速率(最大)

            50.8 mm/min

            Seed Rotation (Reversible)

            籽晶旋轉速率(可逆)

            0-50 rpm

            Crucible Rotation (Reversible)

            坩鍋旋轉速率(可逆)

            0-20 rpm

            CUPS 主真空

            1000 Gs

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             

             



            半導體級晶體生長爐KX170MCZ